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J-GLOBAL ID:200903073992646716

半導体レーザー光源

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐野 静夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992054820
Publication number (International publication number):1993259578
Application date: Mar. 13, 1992
Publication date: Oct. 08, 1993
Summary:
【要約】【目的】レーザービームの干渉に起因するビームの強度むらの発生を防止する。【構成】レーザーダイオード30,レンズ35をレーザー固定部材200に固定し、レーザーダイオード30から発せられたレーザービームがレンズ35を透過し、光束規制板27のピンホール25を一部通過するようにする。ピンホール25は、光束規制板27上でのレーザービーム5よりも直径が小さく、レーザービームに対し回折を伴って通過させる。
Claim (excerpt):
レーザービームを発する半導体レーザーから成る発光手段と,該発光手段から発せられたレーザービームを透過させる光学系と,該光学系を透過してきたレーザービームに対し回折を伴って通過させる開口が設けられた光束規制部材と,を備えたことを特徴とする半導体レーザー光源。
IPC (2):
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭64-096979
  • 特開昭57-192518
  • 特公昭59-041413

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