不揮発性半導体メモリ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好保男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992077940
Publication number (International publication number)：1993282889
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、書き込みを行うとともに長寿命化を図ることを目的とする。【構成】複数個の各ブロックを最小消去単位とするメモリ手段1と、未使用ブロックの管理手段と、未使用ブロックのうち識別した未消去ブロックを順次消去する消去手段と、データの書き込みは管理された未使用ブロックに順に行い、書き込みデータの内容が記録された旧データを変更したものであってその旧データが不要のときはその旧データが記録されていたブロックを未使用として管理手段に通知し、所要のときは旧データ中の必要部分のデータを新たなデータを書き込むブロックにコピーする制御手段とを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

複数のブロックに分割されたメモリセルアレイを備え、当該ブロックを最小消去単位として構成されたメモリ手段と、未使用の前記ブロックを管理する管理手段と、前記未使用のブロックのうち消去されたものと未消去のものを識別し未消去のブロックを順次消去する消去手段と、データの書き込みは前記管理手段で管理された未使用ブロックに順に行い、書き込みを行うデータの内容が既に記録された旧データを変更したものであってその旧データが不要である場合には当該旧データの記録されていたブロックを未使用として前記管理手段に通知し、所要の場合には前記旧データの中の必要とされる部分のデータを新たなデータを書き込むブロックにコピーする制御手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (2)：

G11C 16/06 , G06F 12/02 510

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197318 Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
フラッシュ・メモリ使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-033398 Applicant：富士通株式会社
特開平4-137078

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Cited by examiner (3)

半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197318 Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
特開昭49-082990
フラッシュ・メモリ使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-033398 Applicant：富士通株式会社

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