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J-GLOBAL ID:200903074000942528

高周波用フェライト薄膜およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西 義之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000355065
Publication number (International publication number):2002160924
Application date: Nov. 21, 2000
Publication date: Jun. 04, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高周波デバイス用Y型六方晶系フェライト薄膜の作製手段の開発。【構成】 Fe+3イオンを主成分とし、Fe2+,Co2+,Ni2+,Zn2+Cu2+,Mn2+からなる群より選ばれる少なくとも一種の遷移金属イオンおよびBa2+イオン、あるいはさらにSr2+,Ca2+、またはPb2+からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属イオンを副成分として形成した金属・有機複合体からなる粘性溶液を用いて、コーティング法により貴金属表面にY型フェライト組成の膜を形成し、これを750°C以上で焼成することによって、結晶のc軸が膜面に垂直に配向したY型六方晶系フェライト薄膜を作製する。
Claim (excerpt):
結晶のc軸が膜面に垂直に配向したY型六方晶系フェライト薄膜。
IPC (2):
C01G 49/00 ,  H01F 10/20
FI (4):
C01G 49/00 C ,  C01G 49/00 B ,  C01G 49/00 E ,  H01F 10/20
F-Term (10):
4G002AA07 ,  4G002AA08 ,  4G002AA10 ,  4G002AB02 ,  4G002AD04 ,  4G002AE05 ,  5E049AB03 ,  5E049AB09 ,  5E049BA11 ,  5E049EB06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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