III族窒化物系化合物半導体素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999266499
Publication number (International publication number)：2001094150
Application date： Sep. 21, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【目的】スパッタ法で形成されるバッファ層の膜厚の最適化を図る。【構成】基板上にスパッタ法でバッファ層を形成するとき、その膜厚を50Å以上3000Å以下とする。

Claim (excerpt)：

基板と該基板上に有機金属を原材料に用いない方法で形成された膜厚が50Å以上3000Å以下の第1のIII族窒化物系化合物層と、該第1のIII族窒化物系化合物層の上に形成された第2のIII族窒化物系化合物半導体層と、を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/203 S , H01L 21/205

F-Term (41)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AA10 , 5F045AA12 , 5F045AA18 , 5F045AA19 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD08 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA55 , 5F045HA16 , 5F103AA02 , 5F103AA05 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103KK01 , 5F103LL02 , 5F103NN01 , 5F103NN06 , 5F103PP03 , 5F103PP15 , 5F103RR08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平2-081482
特開昭60-173829
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-130475 Applicant：豊田合成株式会社

Cited by examiner (2)

特開平2-081482
特開昭60-173829

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