半導体装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001345011
Publication number (International publication number)：2002203912
Application date： Sep. 12, 1997
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】キャリアの移動度が高く、結晶欠陥が少ないチャネルを有する電界効果トランジスタを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 Si基板10上のNMOSトランジスタにおいて、Si層13n、SiGeC層14nとが形成されている。このSiGeC層14nとSi層13nとのヘテロ界面に存在する伝導帯の不連続部を利用したキャリア蓄積層が形成されており、このキャリア蓄積層をチャネルとして電子が走行する。SiGeC層14nはシリコンに比べて電子の移動度が大きく、NMOSトランジスタの動作速度も大きくなる。PMOSトランジスタの正孔が走行するチャネルは、SiGe層15pとSi層17pとの界面に生じる価電子帯の不連続部を利用して形成されている。SiGe層もSi層に比べて正孔の移動度が大きく、このPMOSトランジスタの動作速度も大きくなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一部に形成され、ゲート電極とソース・ドレイン領域と該ソース・ドレイン領域間のチャネル領域とを有する第1の電界効果トランジスタと、上記半導体基板の他部に形成され、ゲート電極とソース・ドレイン領域と該ソース・ドレイン領域間のチャネル領域とを有する第2の電界効果トランジスタとを備えている半導体装置であって、上記第1の電界効果トランジスタのチャネル領域は、Si層と、上記Si層に接して形成されたSi<SB>1-x-y </SB>Ge<SB>x </SB>C<SB>y </SB>層(0≦x≦1,0<y≦1)とを備え、上記Si<SB>1-x-y </SB>Ge<SB>x </SB>C<SB>y </SB>層内における上記Si層に近接した領域には負のキャリアを蓄積するための第1のキャリア蓄積層が形成されており、上記第2の電界効果トランジスタのチャネル領域は、第2のSi層と、上記第2のSi層に近接して形成されたSiGe層とを備え、上記SiGe内における上記第2のSi層に近接した領域には、正のキャリアを蓄積するための第2のキャリア蓄積層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8238 , H01L 21/28 301 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/28 301 R , H01L 27/08 321 C , H01L 27/08 321 F , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 S

F-Term (50)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F048AC03 , 5F048BA03 , 5F048BA14 , 5F048BB05 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BF07 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140AA10 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA09 , 5F140BA17 , 5F140BB06 , 5F140BB13 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BC19 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG43 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ16 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140BK29 , 5F140BK31 , 5F140CB04 , 5F140CB08

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