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J-GLOBAL ID：200903074021241902

高純度チタニウムスパッタリングターゲット

Inventor： 澤田 進 ,  福世 秀秋 ,  永澤 俊
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993260384
Publication number (International publication number)：1995090564
Application date： Sep. 27, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 膜厚分布規格、パーティクル問題及びコリメーションスパッタ法における成膜速度の問題を解決しうるTiターゲットの開発。【構成】 (a) スパッタ面においてX線回折法で測定され、定義された数式により算出したターゲットの各部位での(002),(103),(014),(015) 面と関連しての結晶方位含有比Aが80%以下、特に50%以下を基本とし、(b) 各部位での前記結晶方位含有比Aがターゲット全体の平均化結晶方位含有比に対して、そのバラツキが±20%以内、(c) スパッタ面においてX線回折法で測定され、定義された数式により算出したターゲット各部位での(002) 面と関連しての結晶方位含有比Bが20%以下、(d) 結晶組織が再結晶組織、(e) ターゲット各部位での平均結晶粒径が500μm以下、好ましくは100μm以下及び(f) 各部位の平均結晶粒径を平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツキが±20%以内の要件を単独で或いは組合せて採用する。

Claim (excerpt)：

ターゲットのスパッタ面においてX線回折法で測定され、次の数式1に基づいて算出されたターゲットの各部位での結晶方位含有比Aが80%以下であることを特徴とする高純度チタニウムスパッタリングターゲット。【数1】