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J-GLOBAL ID：200903074022336079

エチニルナフタレン誘導体

Inventor： 竹原 貞夫 ,  大澤 政志 ,  高津 晴義
Applicant, Patent owner： 大日本インキ化学工業株式会社
Agent (1)： 高橋 勝利
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998200352
Publication number (International publication number)：2000034240
Application date： Jul. 15, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Δnが非常に大きく、TN-Iが高く、粘性が比較的小さいエチニルナフタレン誘導体であって、かつそのΔεの大きいp型の液晶性化合物を提供し、さらにこれを用いて低粘性でΔnが大きく、液晶温度範囲が広く、かつVthが低く低電圧駆動の可能な液晶組成物、更にはこの液晶組成物を構成要素とする液晶素子を提供する。【解決手段】 一般式(I)【化1】(R:C数1〜10のアルキル、環A:トランス-1,4-シクロヘキシレン、F原子により置換可能な1,4-フェニレン、L:-CH2CH2-、単結合、Xa、Xb及びXc:H原子、F原子。)のエチニルナフタレン誘導体、これを含有する液晶組成物及びこれを構成要素とする液晶素子。

Claim (excerpt)：

一般式(I)【化1】(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基を表し、環Aはトランス-1,4-シクロヘキシレン基又はフッ素原子により置換されていてもよい1,4-フェニレン基を表し、Lは-CH2CH2-又は単結合を表し、Xa、Xb及びXcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表す。)で表されるエチニルナフタレン誘導体。

IPC (3)：

C07C 25/24 ,  C09K 19/18 ,  C09K 19/32

FI (3)：

C07C 25/24 ,  C09K 19/18 ,  C09K 19/32

F-Term (14)：

4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB64 ,  4H006EA43 ,  4H027BA01 ,  4H027BB10 ,  4H027BD01 ,  4H027BD02 ,  4H027BD03 ,  4H027BD05 ,  4H027BD07 ,  4H027BD09 ,  4H027CT04 ,  4H027DK04