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J-GLOBAL ID：200903074023461152
パターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993267000
Publication number (International publication number)：1995140675
Application date： Oct. 26, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 パターン形状のコントロールが容易になると共にパターンスペース部に残渣物が残らないようなパターン形成方法を提供する。【構成】 半導体基板1上にレジストを塗布してレジスト膜2を形成した後、レジスト膜2に対して所定形状のマスク3Aを用いてパターン露光を行なう。次に、レジスト膜2の表面部にヘキサメチルジシラザンを供給して、レジスト膜2の表面部のうち露光された部分をシリル化する。次に、シリル化処理が行なわれたレジスト膜2に対してオゾン雰囲気中7でKrFエキシマレーザ光8を全面照射して該レジスト膜2における表面部がシリル化されていない部分2Bを選択的に除去することによってレジストパターン2Aを形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布工程と、前記レジスト膜に対して所定形状のマスクを用いてパターン露光を行なう露光工程と、前記レジスト膜の表面部のうち露光された部分に対してシリル化処理を行なうシリル化工程と、前記レジスト膜に対してオゾン雰囲気中で放射線を全面照射して該レジスト膜における表面部がシリル化されていない部分を選択的に除去することによってレジストパターンを形成する放射線照射工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2)：
G03F 7/38 512
, H01L 21/02
