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J-GLOBAL ID：200903074032232166

整列した自立炭素ナノチューブおよびその合成

Inventor： レン ジフェン ,  ファン ジョンピン ,  ワン ジュー エイチ. ,  ワン デジ
Applicant, Patent owner： ザ・リサーチ・ファウンデーション・オブ・ステイト・ユニバーシティ・オブ・ニューヨーク
Agent (1)： 清水 初志 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000554654
Publication number (International publication number)：2002518280
Application date： Jun. 18, 1999
Publication date： Jun. 25, 2002
Summary：

【要約】300°Cから3000°Cの温度での炭素発生源ガスおよび触媒ガスのプラズマ強化高温フィラメント化学蒸着により、最初に触媒膜または触媒ナノドットと共に配設された基板の外面上で、高度に配向した1つまたは複数の多重壁炭素ナノチューブを成長させる。炭素ナノチューブは、成長条件に応じて、直径が4nmから500nmまで、長さが0.1μmから50μmまでの範囲である。炭素ナノチューブの密度は104個/mm2を超えることができる。炭素発生源ガスとしてアセチレンが使用され、触媒ガスとしてアンモニアが使用される。プラズマ強度、炭素発生源ガスと触媒ガスの比およびこれらのガスの流量、触媒膜の厚さ、および化学蒸着の温度は、炭素ナノチューブの長さ、直径、密度、および一様性に影響を与える。本発明の炭素ナノチューブは、電気化学応用分野と、電子放出応用分野、構造複合物応用分野、材料貯蔵応用分野、および超小形電極応用分野で有用である。

Claim (excerpt)：

基板1平方ミリメートル当たり104個を超える密度で基板に付着させられた、実質的に整列した複数の炭素ナノチューブを備えるプロダクト。

IPC (9)：

C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  H01J 37/073 ,  H01M 8/06 ,  H01M 8/10

FI (9)：

C01B 31/02 101 F ,  C23C 16/26 ,  H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 37/073 ,  H01M 8/06 R ,  H01M 8/10 ,  H01J 1/30 F

F-Term (26)：

4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CB09 ,  4G046CC06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  5C030CC02 ,  5C031DD17 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12 ,  5C036EH11 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB04 ,  5H027BA13