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J-GLOBAL ID：200903074037803056

表面処理装置

Inventor： 久保田 尚樹
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 高矢 諭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993037151
Publication number (International publication number)：1994252098
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ室からイオンビームを引き出すための多孔電極を用いることなく、高密度のイオンビームから高密度の中性粒子ビームを生成させる。【構成】 プラズマ室10でガスを放電させてプラズマPを発生させ、プラズマP中の荷電粒子を中性化して中性粒子として該中性粒子で処理室14に設置されている被処理体Sをエッチングする装置において、開口部24を通してプラズマPをアフターグロー輸送室12にアフターグローPa として引き出し、電磁石16、26で形成される静磁界Mに沿って処理室14の方向に輸送しながら該アフターグローPa 中の荷電粒子を電荷交換反応により中性化して、中性粒子ビームを生成する。

Claim (excerpt)：

プラズマ室でガス放電によりプラズマを発生させ、プラズマ中の荷電粒子を中性化して中性粒子を生成し、該中性粒子で処理室に設置されている被処理体を表面処理する表面処理装置において、プラズマ室と処理室との間に、該プラズマ室との境界位置に形成された開口部を通してプラズマアフターグローを引き出し、該プラズマアフターグローを処理室方向に輸送しながらその中の荷電粒子を中性化するアフターグロー輸送室を介設したことを特徴とする表面処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46 ,  H05H 3/02