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J-GLOBAL ID：200903074046412523

光電変換素子、及びその製造方法

Inventor： 山崎 芳文 ,  山口 康浩 ,  石井 徹
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001101399
Publication number (International publication number)：2002298936
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 パターニングや大面積化が容易で、成膜設備が簡便で低コストで、生産性が高い光電変換素子、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】導体層が設けられた光半導体電極と、対向電極と、前記光半導体電極及び前記対向電極との間に挟持されてなる電解質層と、を有し、前記対向電極が、バインダー中に導電性材料を分散してなる導電性膜を有することを特徴とする光電変換素子、及びその製造方法である

Claim (excerpt)：

半導体層が設けられた光半導体電極と、対向電極と、前記光半導体電極及び前記対向電極との間に挟持されてなる電解質層と、を有する光電変換素子であって、前記対向電極が、バインダー中に導電性材料を分散してなる導電性膜を有することを特徴とする光電変換素子。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (19)：

5F051AA01 ,  5F051AA09 ,  5F051AA14 ,  5F051AA18 ,  5F051AA20 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB07 ,  5H032CC11 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE04 ,  5H032EE12 ,  5H032EE18