Pat

J-GLOBAL ID：200903074059610111

多孔性配位不飽和金属錯体

Inventor： 北川 進 ,  山本 浩史 ,  辰巳 準
Applicant, Patent owner： 株式会社日本触媒
Agent (2)： 植木 久一 ,  小谷 悦司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003134160
Publication number (International publication number)：2004285315
Application date： May. 13, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】低分子のみならず一般的な化合物も反応基質として取り込むことができ、且つ触媒活性または分子保持機能の高い多孔性配位不飽和金属錯体を提供する。また、本発明は、上記のような作用効果を享有する当該錯体の製造方法、当該錯体の触媒としての使用方法、並びに多孔性配位不飽和金属錯体を構成するための金属錯体ユニットおよび有機配位子を提供するものである。【解決手段】本発明の多孔性配位不飽和金属錯体は、金属および有機配位子で構成された金属錯体ユニットが架橋金属を介して連結されたものであり、該連結によって一次元または三次元の空孔が形成されており、該空孔の孔径が10Å以上であり、且つ該金属錯体ユニット中の金属が配位不飽和状態にあるものである。

Claim (excerpt)：

金属および有機配位子で構成された金属錯体ユニットが架橋金属を介して連結されたものであり、 該連結によって空孔が形成されており、 該空孔の孔径が10Å以上であり、且つ 該金属錯体ユニット中の金属が配位不飽和状態にあることを特徴とする多孔性配位不飽和金属錯体。

IPC (4)：

C08G79/00 ,  B01J31/22 ,  C07C251/24 ,  C07C255/61

FI (4)：

C08G79/00 ,  B01J31/22 Z ,  C07C251/24 ,  C07C255/61

F-Term (36)：

4G069AA02 ,  4G069AA08 ,  4G069BA27A ,  4G069BA27B ,  4G069BC67B ,  4G069BE15B ,  4G069BE16B ,  4G069BE37B ,  4G069CB19 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB82 ,  4H039CA62 ,  4H039CC50 ,  4H048AA01 ,  4H048AA02 ,  4H048AA03 ,  4H048AB40 ,  4H048VA20 ,  4H048VA30 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AA03 ,  4H050AB40 ,  4H050WB13 ,  4J030CA02 ,  4J030CB02 ,  4J030CB04 ,  4J030CB07 ,  4J030CB21 ,  4J030CC02 ,  4J030CC23 ,  4J030CC30 ,  4J030CG07

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Journal of the Chinese Chemical Society, 1998, Vol.45,No.5, p.611-617