ポジ型レジスト積層物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000178538
Publication number (International publication number)：2001356484
Application date： Jun. 14, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】遠紫外領域の露光に対応して高い解像力を有し、しかも0.2μm以下の微細なライン/スペースにおいて、ラインうねりの少ないレジストパターンを与え、現像欠陥の発生量が少なく、高い製造適性を有するポジ型レジスト積層物を提供すること。【解決手段】脂環式骨格を側鎖に有する特定のポリマーを含有する熱硬化性の第1レジスト層と、側鎖にシリコン原子を有し水不溶性で酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるポリマーと、光酸発生剤とを含有する第2レジスト層からなるポジ型レジスト積層物が提供される。

Claim (excerpt)：

基板上に第1レジスト層を有し、この上に第2レジスト層を有するポジ型レジスト積層物において、(I)第1レジスト層が、(a-1)下記一般式(1)で表される繰返し単位と下記一般式(2)で表される繰返し単位とを含むポリマーを含有し、且つ熱により硬化する層であり、(II)第2レジスト層が、(b)側鎖にシリコン原子を有し、かつ水不溶性で酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるポリマーと、(c)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有している、ことを特徴とするポジ型レジスト積層物。【化1】式中:Y1は、水素原子、アルキル基、シアノ基、ハロゲン原子を表す。L1は、置換基を有していてもよい2価の連結基を表す。Jは、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表す。a1は、0又は1を表す。Y2は、Y1と同義である。L2は、L1と同義である。Kは、置換基を有していてもよいアリール基を表す。a2及びa3は、それぞれ独立に、0又は1を表す。

IPC (9)：

G03F 7/075 511 , C08F220/00 , C08F222/10 , C08F230/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 504 , G03F 7/039 601 , G03F 7/095 , H01L 21/027

FI (9)：

G03F 7/075 511 , C08F220/00 , C08F222/10 , C08F230/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 504 , G03F 7/039 601 , G03F 7/095 , H01L 21/30 502 R

F-Term (103)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC07 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025CB10 , 2H025CB43 , 2H025CC04 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AB07Q , 4J100AB07R , 4J100AE02P , 4J100AE09P , 4J100AE13P , 4J100AE21S , 4J100AG02P , 4J100AG08P , 4J100AG10P , 4J100AG12P , 4J100AG15P , 4J100AJ01P , 4J100AJ02P , 4J100AJ02Q , 4J100AJ02R , 4J100AJ08P , 4J100AJ09P , 4J100AJ10P , 4J100AK32P , 4J100AK32Q , 4J100AL03P , 4J100AL03R , 4J100AL03S , 4J100AL04P , 4J100AL08P , 4J100AL08R , 4J100AL09P , 4J100AL09R , 4J100AL24P , 4J100AL34Q , 4J100AL34R , 4J100AL36P , 4J100AL36Q , 4J100AL44P , 4J100AM01P , 4J100AM02P , 4J100AM02Q , 4J100AM02R , 4J100AM02S , 4J100AM15P , 4J100AM17P , 4J100AM19P , 4J100AM21P , 4J100AM37P , 4J100AM43P , 4J100AM47P , 4J100AP16P , 4J100BA02P , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA04P , 4J100BA05P , 4J100BA06P , 4J100BA08P , 4J100BA11P , 4J100BA11R , 4J100BA15P , 4J100BA16P , 4J100BA20P , 4J100BA29P , 4J100BA34P , 4J100BA40P , 4J100BA51P , 4J100BA53P , 4J100BA58P , 4J100BA77P , 4J100BA81P , 4J100BA85P , 4J100BB01P , 4J100BC04P , 4J100BC07P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC12P , 4J100BC43P , 4J100BC48P , 4J100BC53P , 4J100BC53R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

193NMリソグラフィーのためのヒドロキシ-アミノ熱硬化下塗り
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-604269 Applicant：アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド
レジスト積層物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-028235 Applicant：富士写真フイルム株式会社
レジスト材料およびパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-331746 Applicant：富士通株式会社

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