高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001033262
Publication number (International publication number)：2002234916
Application date： Feb. 09, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】式(1a)及び(1c)、又は(1a)、(1b)、及び(1c)の繰り返し単位を含有する高分子化合物。(R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>5</SP>〜R<SP>7</SP>はH、F、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>3</SP>はF、又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>4</SP>及びR<SP>8</SP>は酸不安定基、密着性基、H、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>9a</SP>、R<SP>9b</SP>、R<SP>10a</SP>及びR<SP>10b</SP>はH、OH基、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基、(CH<SB>2</SB>)<SB>e</SB>CO<SB>2</SB>R<SP>11</SP>、又は(CH<SB>2</SB>)<SB>e</SB>C(R<SP>12</SP>)<SB>2</SB>(OR<SP>11</SP>)、R<SP>11</SP>は酸不安定基、密着性基、H、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>12</SP>はフッ素化されたアルキル基、0<a<1、0≦b<1、0<c<1、0<a+b+c≦1、dは0又は1、0≦e≦6)【効果】高エネルギー線に感応し、特に170nm以下の波長における感度が優れ、透明性が向上し、優れたプラズマエッチング耐性を有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1a)及び(1c)、又は(1a)、(1b)及び(1c)の繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>5</SP>〜R<SP>7</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>3</SP>はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>4</SP>及びR<SP>8</SP>は酸不安定基、密着性基、水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>9a</SP>、R<SP>9b</SP>、R<SP>10a</SP>及びR<SP>10b</SP>は水素原子、水酸基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、(CH<SB>2</SB>)<SB>e</SB>CO<SB>2</SB>R<SP>11</SP>、又は(CH<SB>2</SB>)<SB>e</SB>C(R<SP>1</SP><SP>2</SP>)<SB>2</SB>(OR<SP>11</SP>)である。R<SP>11</SP>は酸不安定基、密着性基、水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>12</SP>は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。0<a<1、0≦b<1、0<c<1であり、0<a+b+c≦1である。dは0又は1である。0≦e≦6である。)

IPC (8)：

C08F220/10 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L 33/04 , C08L 45/00 , G03F 7/033 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (8)：

C08F220/10 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L 33/04 , C08L 45/00 , G03F 7/033 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (109)：

2H025AA01 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J002BG08W , 4J002BG08Y , 4J002BK00X , 4J002DF007 , 4J002EB006 , 4J002EJ038 , 4J002EJ058 , 4J002EN017 , 4J002EN027 , 4J002EN037 , 4J002EN047 , 4J002EN067 , 4J002EN097 , 4J002EP007 , 4J002ES007 , 4J002EU027 , 4J002EU047 , 4J002EU057 , 4J002EU077 , 4J002EU107 , 4J002EU117 , 4J002EU137 , 4J002EU147 , 4J002EU227 , 4J002EU237 , 4J002EV216 , 4J002EV237 , 4J002EV246 , 4J002EV256 , 4J002EV296 , 4J002EV327 , 4J002FD206 , 4J002FD208 , 4J100AK32Q , 4J100AL08P , 4J100AL08R , 4J100AM43Q , 4J100AR11Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA04P , 4J100BA04Q , 4J100BA04R , 4J100BA05P , 4J100BA05R , 4J100BA06P , 4J100BA06R , 4J100BA11P , 4J100BA11Q , 4J100BA12P , 4J100BA20P , 4J100BA20Q , 4J100BA20R , 4J100BA28P , 4J100BA28R , 4J100BA35P , 4J100BA40P , 4J100BB07P , 4J100BB07Q , 4J100BB07R , 4J100BB11P , 4J100BB11R , 4J100BB17P , 4J100BB17R , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BB18R , 4J100BC03P , 4J100BC03R , 4J100BC04P , 4J100BC04R , 4J100BC07P , 4J100BC07R , 4J100BC08P , 4J100BC08R , 4J100BC09P , 4J100BC09R , 4J100BC12P , 4J100BC12R , 4J100BC22P , 4J100BC22R , 4J100BC23P , 4J100BC23R , 4J100BC43Q , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100BC53R , 4J100BC55Q , 4J100BC58P , 4J100BC65P , 4J100BC79P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-375504 Applicant：信越化学工業株式会社

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