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J-GLOBAL ID:200903074066574961
基板の表面処理方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994227751
Publication number (International publication number):1996092747
Application date: Sep. 22, 1994
Publication date: Apr. 09, 1996
Summary:
【要約】【目的】 大気圧近傍の圧力下で低電圧で放電プラズマを発生させプラズマによる基板の表面処理を短時間で行う方法を提供する。【構成】 対向する金属電極4、5の少なくとも一方の対向面が、酸化チタニウム5〜50重量%、酸化アルミニウム50〜95重量%で混合された金属酸化物被膜が形成された金属板6によって完全に覆われているプラズマ発生装置の、金属電極間に基板7を設置し、反応ガスと不活性ガスとの混合ガスの大気圧近傍の圧力下で電極に電圧を印加して放電プラズマを発生させ、そのプラズマによって励起された活性種を基板7表面に接触させることを特徴とする。
Claim (excerpt):
対向する金属電極の少なくとも一方の対向面が、酸化チタニウム5〜50重量%、酸化アルミニウム50〜95重量%で混合された金属酸化物被膜によって完全に覆われているプラズマ発生装置の、金属電極間に基板を設置し、反応ガスと不活性ガスとの混合ガスの大気圧近傍の圧力下で電極に電圧を印加して放電プラズマを発生させ、そのプラズマによって励起された活性種を基板表面に接触させることを特徴とする基板の表面処理方法。
IPC (2):
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