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J-GLOBAL ID：200903074070509562

半導体装置

Inventor： 常峰 美和 ,  金岡 竜範
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992032072
Publication number (International publication number)：1993235264
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置において、電極とキャパシタの界面で、酸化シリコンなどの低誘電率の酸化物が生成するのを抑制し、前記酸化物のない半導体装置をうる。【構成】 ダイナミックランダムアクセスメモリー装置などのキャパシタを構成素子として有する半導体装置で、キャパシタの電極材料として電気導伝性酸化物膜を使用する。

Claim (excerpt)：

キャパシタを構成素子として有する半導体装置であって、キャパシタの電極材料として電気伝導性酸化物膜を使用したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/46