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J-GLOBAL ID：200903074070896957

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 吉野 利枝佳
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 小橋川 洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996315560
Publication number (International publication number)：1998144826
Application date： Nov. 12, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子と配線基板との間の接着用絶縁性樹脂の垂直方向の残留応力の緩和時間を延ばすようにした半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子13の角部の基板11に平行な方向の残留応力が残りやすいフィレット部分を、半導体素子13の突起電極14がある領域から外すようにした。

Claim (excerpt)：

配線基板の導体配線と半導体素子の突起電柱とを合致させて前記半導体素子と配線基板との間を接着用絶縁性樹脂にて固着する構造を有する半導体装置において、前記半導体素子の投影面よりはみ出た前記接着用樹脂のフィレットのはみ出し量は前記半導体素子の辺中央部より角部を少なくしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311

FI (3)：

H01L 23/28 Z ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 S