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J-GLOBAL ID：200903074084605971

磁性薄膜及びその製造方法

Inventor： 亀山 誠 ,  松島 正明 ,  柳 道男
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 卓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993128614
Publication number (International publication number)：1994338409
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高飽和磁束密度で耐食性に優れるのみならず、成膜時の応力が小さく、ガラスボンディング時の気泡の発生もなく、磁気異方性の制御も可能である磁性薄膜を提供する。【構成】 スパッタ装置の真空チャンバー2中にArガスとともにCO2ガスを導入し、その雰囲気中でのスパッタリングにより基板4上に磁性薄膜を成膜する。ターゲット1はFe,Al,Siの合金ターゲットとし、その上にIVa族ないしVa族のTi,Zr,Hf,V,Nb,Taの内の少なくとも1種の金属チップ、或いは更にRuチップを置く。このようにして、Fe,Al,SiにC,Oを添加するとともにIVa族ないしVa族元素を添加してなる、あるいは更にRuを添加してなる軟磁性合金からなる磁性薄膜が成膜される。

Claim (excerpt)：

a,b,c,d,e,fは原子%組成比の値を示し、TはIVa族ないしVa族元素のTi,Zr,Hf,V,Nb,Taの内の少なくとも1種として、Fea Alb Sic Cd Oe Tfなる組成式で示され、前記a,b,c,d,e,fのそれぞれの値は、a+b+c+d+e+f=1008≦b≦1214≦c≦180.5≦d≦80.2≦e≦60.1≦f≦5である軟磁性合金からなることを特徴とする磁性薄膜。

IPC (4)：

H01F 10/14 ,  C23C 14/14 ,  G11B 5/31 ,  H01F 41/18