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J-GLOBAL ID：200903074092180092

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気検出素子並びに磁気記録再生素子

Inventor： 奥野 志保 ,  羽根田 茂 ,  岸 達也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 松山 允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295146
Publication number (International publication number)：2003101101
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 大きな磁気抵抗変化を有し、素子化可能でかつ制御性が良好、さらに作製容易な磁気抵抗効果素子を提供するとともに、これを用いた高感度の磁気検出素子素子を提供することにある。またさらに、この磁気抵抗効果素子を用いた記録再生素子を提供することも目的とする。【解決手段】 基板(S)の主面上に設けられた磁性体エレメント(1)を備え、前記磁性体エレメントは、前記基板の主面に対して略平行な方向に流れる電流を狭窄するくびれ部(C)と、前記くびれ部を介して接続された第1及び第2の導電領域(1A、1B)と、を有し、前記くびれ部を介して流れる電流に対して略平行な方向に磁場を印加した時に電気抵抗が減少することを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。

Claim (excerpt)：

基板の主面上に設けられた磁性体エレメントを備え、前記磁性体エレメントは、前記基板の主面に対して略平行な方向に流れる電流を狭窄するくびれ部と、前記くびれ部を介して接続された第1及び第2の導電領域と、を有し、前記くびれ部を介して流れる電流に対して略平行な方向に磁場を印加した時に電気抵抗が減少することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (6)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

F-Term (10)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034CA00 ,  5D034DA07 ,  5E049BA12 ,  5F083FZ10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16