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J-GLOBAL ID:200903074097725372

直接書き込み式ナノリソグラフィーによるナノスケールチップからの核酸の沈着方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 清水 初志 ,  橋本 一憲 ,  新見 浩一
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003549493
Publication number (International publication number):2005512032
Application date: Dec. 02, 2002
Publication date: Apr. 28, 2005
Summary:
導電性物質と絶縁性物質を備える、異なる基板に固定されたナノスケールの核酸パターンを作成するための直接書き込み式ナノリソグラフィーの使用を記載する。チオール基などの反応性基でオリゴヌクレオチドを含む核酸を修飾すると、適当な条件下において適当な走査型プローブ顕微鏡チップを使用したパターニングが提供される。反応性基は、基板表面への化学吸着または共有結合を提供する。すぐれた安定性を示す得られた核酸は相補的な核酸とハイブリダイゼーションすることができ、従って例えば、核酸で官能基化したナノ粒子を使用することによってプロービングされうる。パターニングは、チップ処理、相対湿度、および核酸構造の選択によって制御することができる。
Claim (excerpt):
チップと基板が互いに接近するように少なくとも1つのナノスケールチップを基板に対して位置づける段階を含み、核酸がチップから基板に移動されて、相補的な核酸にハイブリダイゼーションすることができる安定な核酸ナノスケールパターンを基板に作製する、直接書込みナノリソグラフィーによって基板に核酸を沈着する方法。
IPC (7):
G01N33/53 ,  C12M1/00 ,  C12N15/09 ,  C12Q1/68 ,  G01N13/10 ,  G01N13/16 ,  G01N37/00
FI (7):
G01N33/53 M ,  C12M1/00 A ,  C12Q1/68 A ,  G01N13/10 A ,  G01N13/16 A ,  G01N37/00 102 ,  C12N15/00 F
F-Term (18):
4B024AA11 ,  4B024AA20 ,  4B024CA01 ,  4B024CA09 ,  4B024HA11 ,  4B029AA07 ,  4B029BB20 ,  4B029CC03 ,  4B029FA15 ,  4B063QA01 ,  4B063QA18 ,  4B063QQ42 ,  4B063QQ52 ,  4B063QR55 ,  4B063QR82 ,  4B063QS34 ,  4B063QS36 ,  4B063QX02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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