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J-GLOBAL ID：200903074099265557

レチクルパターンの設計方法

Inventor： 中筋 護
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 細江 利昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998088297
Publication number (International publication number)：1999274055
Application date： Mar. 18, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 形成させるパターンの精度とスループットの両方を満足させるようにレチクルパターンを設計する。【解決手段】 半導体チップの1つのレイヤー1を、転写電子ビームの後方散乱の広がり程度の寸法角の小領域2に分割し、小領域2内におけるパターンの面積を算出する。そして、その面積率の中で最大のものと最小のものの差が、25%を超えた場合には、ウェハーに転写後近接効果補正を行うようにレチクルパターンを設計する。この差が、15〜25%の場合には、クリティカルレイヤーの場合はウェハーに転写後近接効果補正を行うようにし、非クリティカルレイヤーの場合はレチクルのパターン寸法を局部的に変化させるようにする。この差が15%未満の場合は、非クリティカルレイヤーの場合は無補正とし、クリティカルレイヤーの場合は、レチクルのパターン寸法を局部的に変化させる方法で補正を行うようにする。

Claim (excerpt)：

製造すべき半導体デバイスのパターンから、電子線転写装置に使用するレチクルのパターンを設計する方法において、半導体デバイスのパターン密度、パターン密度の不均一性若しくは要求されるパターンの精度、又はこれらの組み合わせに応じて、近接効果補正方法又は近接効果補正の実施の有無を選択することを特徴とするレチクルパターンの設計方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 1/16 ,  G06F 17/50

FI (5)：

H01L 21/30 541 B ,  G03F 1/08 A ,  G03F 1/16 B ,  G06F 15/60 658 M ,  H01L 21/30 502 P