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J-GLOBAL ID:200903074103542510

半導体集積回路装置およびメガセル

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 早瀬 憲一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991197126
Publication number (International publication number):1993021709
Application date: Jul. 09, 1991
Publication date: Jan. 29, 1993
Summary:
【要約】【構成】 大規模回路固定型セルであるメガセル1と基本セル2を全面に敷き詰める敷き詰めゲートを組合せることで半導体集積回路装置を構成した。またメガセル1の内部に配線可能領域1aを設けた。【効果】 メガセルを用いたことによるチップ面積の縮小化と、開発期間の短縮化によるコストダウンとセル特性の固定化により設計ミスが減少する効果が得られる。また、配線可能領域1aにメガセル外部の配線を配線することで、配線の引き回しを回避できる。
Claim (excerpt):
LSIのレイアウト方式において、メガセル以外の配線を配線可能な領域と、該配線可能領域を挟んで配置された複数の領域により単一機能を実現する機能領域とから構成された大規模回路セルであるメガセルを半導体基板上に1つあるいは複数個配置し、かつ上記半導体基板上のメガセル配置領域を除く領域に、トランジスタ群のみを敷きつめて形成したゲート敷きつめ形アレイを配置してなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2):
H01L 27/04 ,  H01L 21/82
FI (2):
H01L 21/82 S ,  H01L 21/82 D

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