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J-GLOBAL ID:200903074109312656
半導体装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
楠本 高義
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995273201
Publication number (International publication number):1997116180
Application date: Oct. 20, 1995
Publication date: May. 02, 1997
Summary:
【要約】【課題】 耐候性、耐水蒸気耐湿性などに優れるとともに、安価な半導体装置を提供するために、裏面カバーの構成を開発することにある。【解決手段】 透明電極14と半導体層16と裏面電極18とが積層されて成る太陽電池20の透明電極14側に透明絶縁基板12を配設するとともに、該裏面電極18側を熱硬化性樹脂層22又は熱可塑性樹脂層(22)にて覆い、且つ該樹脂層22の表面側にガラスクロス24又はガラスマット(24)を少なくとも接触側が該樹脂を含浸させて配設して半導体装置10を構成した。
Claim (excerpt):
第1電極と半導体層と第2電極とが積層されて成る太陽電池の光入射側となる電極側に透明絶縁基板を配設するとともに、該他方の電極側を熱硬化性樹脂層又は熱可塑性樹脂層にて覆い、且つ該樹脂層の表面側にガラスクロス又はガラスマットを少なくとも接触側が該樹脂を含浸させて配設したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 31/04
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (2):
H01L 31/04 F
, H01L 23/30 B
Patent cited by the Patent: