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J-GLOBAL ID：200903074111216796

半導体加速度センサ及びその製造方法、ならびに当該半導体加速度センサによる加速度検出方式

Inventor： 川畑 達央 ,  坂田 稔
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993342592
Publication number (International publication number)：1995167885
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電磁誘導方式のパルス変換法を用いた超小型半導体加速度センサを提供する。【構成】 弾性を有するアーム2をシリコン基板1と平行に支持台4に支持させる。一定ピッチdの矩形パルス形状の可動電極6をアーム2の先端付近に基板1と平行に支持させ、アーム2の先端に平板状の重り部3を設ける。基板1に可動電極6と対向させて矩形パルス形状の固定電極8を形成し、基板1の表面にSiNの絶縁膜9を形成し、重り部3がX軸方向並びにその厚さ方向に揺動自在に変位できるよう基板1の表面に窪み5を形成する。可動電極6に入力端子10から定電流I1を通電し、加えられた加速度により固定電極8に生じた誘導電流I2のパルス数を検知して加速度を検出する。

Claim (excerpt)：

基板表面に一定ピッチの略矩形パルス状パターンを有する固定電極を設け、一定ピッチの略矩形パルス状パターンの導電部を有する変位可能な可動電極を前記固定電極と一定のギャップを隔てて対向させたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3)：

G01P 15/08 ,  G01P 15/02 ,  H01L 29/84