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J-GLOBAL ID：200903074112023185
樹脂封止型半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991242080
Publication number (International publication number)：1993082679
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 樹脂封止型半導体装置における半導体チップ表面の保護構造に関し、樹脂封止に際して、封止用樹脂に含まれる硬度の高いフィラー粒子によって半導体チップ表面に及ぼされるストレスを大幅に減衰させ、樹脂封止型半導体装置の歩留り及び信頼性を向上することを目的とする。【構成】 回路パターン2が形成されパッシベーション膜3で覆われた半導体チップ1の少なくともワイヤボンディング部を除く領域上を、緻密な第1の樹脂膜4と気泡を含む第2の樹脂膜5とにより順次覆った後、樹脂封止6がなされた構成を有する。
Claim (excerpt)：
回路パターンが形成されパッシベーション膜で覆われた半導体チップの少なくともワイヤボンディング部を除く領域上を、緻密な第1の樹脂膜と気泡を含む第2の樹脂膜とにより順次覆った後、樹脂封止がなされてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 23/30 D
, H01L 23/30 B
