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J-GLOBAL ID:200903074132991536

蒸着薄膜の障壁特性を高めるプラズマアニーリング法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991249822
Publication number (International publication number):1994077216
Application date: Sep. 27, 1991
Publication date: Mar. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】 基板上の窒化チタンなどの真空蒸着材の薄膜の特性を、膜を真空の環境から取り出すことなく、薄膜のプラズマあるいは熱アニーリングにより高めること。【構成】 アニーリング段階は、基板が真空の環境にある状態で、チャンバーの間を転送され得ることを条件として、スパッタ蒸着として同一真空チャンバー内か、あるいは、異なる真空チャンバー内で行われる。
Claim (excerpt):
基板上の薄膜の特性を高める方法において、(a) 真空の環境において材料の薄膜を基板上に真空蒸着し、且つ、(b) 基板を真空の環境から取り出すことなく、スパッタ蒸着された薄膜をアニーリングすることより成ることを特徴とする方法。
IPC (4):
H01L 21/318 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/203

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