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J-GLOBAL ID：200903074135353131

フォトレジスト膜除去方法およびそのための装置

Inventor： 大家 泉 ,  野田 清治 ,  宮本 誠 ,  葛本 昌樹 ,  大森 雅司 ,  片岡 辰雄
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  島田理化工業株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998321876
Publication number (International publication number)：2000147793
Application date： Nov. 12, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】 原料の使用量や換気設備のためのコストが低減でき、環境に優しくかつ除去効率の高いフォトレジスト膜除去方法およびそのための装置を提供すること。【解決手段】 密閉された系内において、フォトレジスト膜を有する基板表面をフォトレジスト膜除去溶液と接触し得るように配置させ、かつ該溶液の液面付近でオゾンをガスおよび/または溶液に混入させた状態で存在させ、前記基板表面と前記溶液の液面との相対位置を変化させてフォトレジスト膜を分解し除去するフォトレジスト膜除去方法であって、前記相対位置を、基板底部が前記溶液の液面上に存在する位置から基板上部が前記溶液の液面下にある位置までの任意の範囲において連続してまたは断続的に変化させることを特徴とするフォトレジスト膜除去方法。

Claim (excerpt)：

密閉された系内において、フォトレジスト膜を有する基板表面をフォトレジスト膜除去溶液と接触し得るように配置させ、かつ該溶液の液面付近でオゾンをガスおよび/または溶液に混入させた状態で存在させ、前記基板表面と前記溶液の液面との相対位置を変化させてフォトレジスト膜を分解し除去するフォトレジスト膜除去方法であって、前記相対位置を、基板底部が前記溶液の液面上に存在する位置から基板上部が前記溶液の液面下にある位置までの任意の範囲において連続してまたは断続的に変化させることを特徴とするフォトレジスト膜除去方法。

IPC (6)：

G03F 7/42 ,  G03F 7/30 501 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  C23F 1/00 104

FI (6)：

G03F 7/42 ,  G03F 7/30 501 ,  C23F 1/00 104 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/306 Z

F-Term (29)：

2H096AA25 ,  2H096HA18 ,  2H096HA20 ,  2H096HA30 ,  2H096LA03 ,  4K057WA01 ,  4K057WB06 ,  4K057WC10 ,  4K057WK10 ,  4K057WM03 ,  4K057WM04 ,  4K057WM18 ,  4K057WN01 ,  5F004BC07 ,  5F004BD01 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EA10 ,  5F043AA02 ,  5F043AA31 ,  5F043CC16 ,  5F043DD19 ,  5F043EE06 ,  5F043EE36 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA05 ,  5F046MA07 ,  5F046MA10