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J-GLOBAL ID：200903074137336714

半導体素子およびその製造方法ならびに半導体基板の製造方法

Inventor： 澤木 宣彦 ,  小出 典克 ,  古川 勝紀
Applicant, Patent owner： 澤木 宣彦 ,  シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001112821
Publication number (International publication number)：2002246646
Application date： Apr. 11, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 原子レベルでの平坦性を良くすることで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体素子を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体素子は、シリコン基板と、シリコン基板の主面上に形成された一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層とを有し、シリコン基板は、このシリコン基板の主面より、62度の傾斜した面か、もしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝を備え、化合物半導体層は前記斜面上に形成される。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、前記シリコン基板の主面上に形成された一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層とを有する半導体素子であって、前記シリコン基板は、前記シリコン基板の主面より、62度の傾斜した面か、もしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝を備え、前記化合物半導体層は前記斜面上に形成されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

F-Term (34)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF03 ,  5F045AF11 ,  5F045AF13 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045DB09 ,  5F045HA06 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL01 ,  5F103RR06

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001) Si substrate by MOVPE