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J-GLOBAL ID：200903074139000560
圧力センサアレイ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西田 新
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992169148
Publication number (International publication number)：1994011403
Application date： Jun. 26, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高感度、高安定性が期待できる静電容量型で、しかも従来のこの種のセンサに比して寄生容量が少なく、かつ、高密度で各電極間距離が均一な高精度の圧力センサアレイを提供する。【構成】 半導体薄板に複数の電極11を形成したダイヤフラム1と、上記各電極11とそれぞれ対向する複数の電極21を形成した半導体基板2とを、半導体薄板に上記各電極対に対応する複数の貫通孔31を形成したスペーサ3を介して相互に接合した構造とする。
Claim (excerpt)：
半導体ダイヤフラムを用いた静電容量型の2次元圧力センサアレイであって、半導体薄板の一面に複数の電極が形成されてなるダイヤフラムと、一面に上記各電極とそれぞれ対向する複数の電極が形成された半導体基板とが、半導体薄板に上記各電極対に対応する複数の貫通孔が形成されたスペーサを介して相互に接合されていることを特徴とする圧力センサアレイ。
IPC (2)：
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