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J-GLOBAL ID：200903074157908935

発光ダイオードの製造方法

Inventor： 小泉 玄太 ,  石黒 茂之
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996041719
Publication number (International publication number)：1997237918
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ダイシングによる加工ダメージ層のエッチング不良の発生を無くすることができる発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】 表面を結晶成長させた半導体角基板1上に、その角基板1の辺10に対して約45度又は約135度となる方向に配列するように発光ダイオード用電極5を設け、その電極5の配列に対して平行又は垂直方向にダイシング溝9を形成し、その溝のダイシングにより発生した加工ダメージ層をエッチングにより除去した後、ダイシングする。

Claim (excerpt)：

表面を結晶成長させた半導体角基板上に、その角基板の辺に対して約45度又は約135度となる方向に配列するように発光ダイオード用電極を設け、その電極の配列に対して平行又は垂直方向に電極間をダイシングすることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/301

FI (4)：

H01L 33/00 E ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/78 L