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J-GLOBAL ID：200903074164978418

圧接形半導体装置

Inventor： 吉岡 忻治
Applicant, Patent owner： 東洋電機製造株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995336214
Publication number (International publication number)：1997153502
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】合金レス化した圧接形半導体基体と熱緩衝板および主電極相互間の芯ズレを防止すると共に、相互間の摩擦による圧接形半導体基体への損傷を防止することにある。【解決手段】圧接形半導体装置の内部の円柱状主電極と円板状熱緩衝板を、円筒状連結筒内に挿入すると共に、円柱状主電極と円板状熱緩衝板の外周面と円筒状連結筒の内周とが密着するよう嵌着し、接着性を有する耐熱性樹脂により接着し、円筒状主電極、熱緩衝板および円筒状連結筒の各相互間を固定一体化し、また円筒状連結筒の内周部には溝を設けて前述の固定を強化するよう構成したもの。

Claim (excerpt)：

圧接形半導体基体の両表面にそれぞれ円板状熱緩衝板を介して外側両面の各面に円柱状主電極を積層して積層体を形成し、該積層体全体を圧接する構造の圧接形半導体装置において、円筒状連結筒の筒内周面に、前記円柱状主電極と円板状熱緩衝板を挿入すると共に、円筒状連結筒の筒内周面に前記円柱状主電極と円板状熱緩衝板の圧接積層体部の各外周面が嵌着するよう形成し、前記円筒状連結筒に接着性を有する樹脂を注入して、円柱状主電極、円板状熱緩衝板および円筒状連結筒の各相互間を互いに固定一体化したことを特徴とする圧接形半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/52 ,  H01L 29/74

FI (3)：

H01L 21/52 J ,  H01L 29/74 L ,  H01L 29/74 J