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J-GLOBAL ID：200903074170864092
片面回路基板およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田下 明人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998172192
Publication number (International publication number)：1999054926
Application date： Jun. 04, 1998
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高い歩留りで効率良く製造できるIVH構造の片面回路基板およびの製造方法を提供する。【解決手段】 金属層42が形成された絶縁基材40に孔40aをレーザ光にて形成する。該穴40aに金属46を充填してバイアホール36aを形成する。そして、金属層42をエッチングして導体回路32aを形成する。バイアホール36aの表面に突起状導体38aを形成して片面回路基板30Aとする。該片面回路基板30Aの突起状導体38aと他の片面回路基板30Bの導体回路32bを接着剤層50である未硬化樹脂を介して積層し、加熱加圧する。突起状導体38aは、未硬化樹脂の中に嵌入し樹脂を押し退け、導体回路32bと電気的に接続する。ここで、片面回路基板30A、30B、30C、30Dを積層する前に、導体回路等の不良個所の有無を検査することができるので、積層段階では、不良のない片面回路基板のみを用いることができる。
Claim (excerpt)：
絶縁性基材の一方の面に導体回路を形成してなり、かつ前記絶縁性基材には導体回路に至る非貫通孔を設け、その非貫通孔に、電解めっきを充填してバイアホールを形成するとともに、前記絶縁性基材の導体回格を形成した面の反対側のバイアホールの表面には、導電性ペーストあるいは低融点金属からなる突起状導体を形成したことを特徴とする片面回路基板。
IPC (2)：
FI (4)：
H05K 3/46 K
, H05K 3/46 E
, H05K 3/46 N
, H05K 1/11 Z
