Pat

J-GLOBAL ID：200903074173946677

液晶装置及びその製造方法

Inventor： 仲村 威裕 ,  那須 安宏 ,  星野 淳之 ,  添田 信一 ,  渡部 純一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991227948
Publication number (International publication number)：1993066419
Application date： Sep. 09, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、TFT(薄膜トランジスタ)アクティブマトリクスLCD(液晶装置)及びその製造方法に関し、下地の絶縁膜と透明電極との間の密着性を向上し、かつ透明電極の周辺端部の形状を改善することができる液晶装置及びその製造方法の提供を目的とする。【構成】透明基板27上の、トランジスタの導電型領域層18aが形成されている素子形成層16と、前記導電型領域層18aと接続している電極22aと、一部分が前記電極22aと接続し、かつ他の部分が前記透明基板27上に延在する透明電極23とを有する液晶装置であって、前記透明基板27上に延在する透明電極23の周縁部と前記透明基板27との間に帯状のバッファ層22cが介在していることを含み構成する。

Claim (excerpt)：

透明基板上の、トランジスタの導電型領域層が形成されている素子形成層と、前記導電型領域層と接続している電極と、一部分が前記電極と接続し、かつ他の部分が前記透明基板上に延在する透明電極とを有する液晶装置であって、前記透明基板上に延在する透明電極の周縁部と前記透明基板との間に帯状のバッファ層が介在していることを特徴とする液晶装置。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784