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J-GLOBAL ID：200903074183175660
化合物太陽電池およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003123328
Publication number (International publication number)：2004327889
Application date： Apr. 28, 2003
Publication date： Nov. 18, 2004
Summary：
【課題】電気エネルギへの変換効率の向上が図られる化合物太陽電池とその製造方法を提供する。【解決手段】GaAs基板1の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルTとなる各層が形成される。そのトップセルT上にボトムセルBとなる各層が形成される。次に、ボトムセルBの表面に裏面電極9が形成される。次に、ワックスによりガラス板と裏面電極とが張り合わされる。次に、ガラス基板に支持されたGaAs基板1をアルカリ溶液に浸漬することによって、GaAs基板1が除去される。その後、トップセルTの表面に表面電極が形成される。最後に、ガラス基板13が裏面電極から分離される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
単結晶による少なくとも1つのpn接合層を有し、太陽光線が入射するセル本体と、
前記セル本体において、太陽光線が入射する側とは反対側の面に直接形成され、前記セル本体を支持する所定の厚さを有する第1電極部と、
前記セル本体において、太陽光線が入射する側の面に形成された第2電極部とを備えた、化合物太陽電池。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (10)：
5F051AA08
, 5F051CB10
, 5F051CB21
, 5F051CB27
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051DA19
, 5F051FA06
, 5F051FA16
, 5F051HA03
