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J-GLOBAL ID：200903074183827404
半導体デバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992307000
Publication number (International publication number)：1994160784
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高速応答性のサブバンド間遷移を利用して振動子強度を高めることのできる半導体デバイスを提供する。【構成】 量子井戸層に形成されるサブバンドレベルのうち、第二サブバンドレベル以上にキャリアが蓄積されるに程度にまで、量子井戸層および障壁層の少なくとも一方に不純物が高濃度に添加されている。
Claim (excerpt)：
量子井戸層と障壁層とを有する半導体デバイスにおいて、前記量子井戸層に形成されるサブバンドレベルのうち、第二サブバンドレベル以上にキャリアが蓄積される程度にまで、前記量子井戸層および前記障壁層の少なくとも一方に不純物が高純度に添加されている超格子構造を有することを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2)：
G02F 1/015 505
, G02F 1/35
