Pat
J-GLOBAL ID：200903074187354551
半導体レーザ素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999285304
Publication number (International publication number)：2001111163
Application date： Oct. 06, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：
【要約】【課題】 温度変化に伴うレーザ光強度の変動を低く抑えることができ、構成が単純で製造が容易な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 光共振器1の前端面1a上に備えられた前端面反射鏡2と、後端面1b上に備えられた後端面反射鏡3を有し、光共振器1から前端面反射鏡2を通してレーザ光を出射する素子であり、光共振器1における発振波長が長くなると発振光に対する前端面反射鏡2の反射率が低下し、光共振器1における発振波長が長くなると発振光に対する後端面反射鏡3の反射率が増加するように構成した。
Claim (excerpt)：
互いに反対側に位置する第一の端面及び第二の端面を持つ光共振器と、上記第一の端面上に備えられた第一の反射鏡と、上記第二の端面上に備えられた第二の反射鏡と、を有し、上記光共振器から上記第一の反射鏡を通してレーザ光を出射する半導体レーザ素子において、上記光共振器における発振光の発振波長が長くなると発振光に対する上記第一の反射鏡の反射率が低下するように上記第一の反射鏡を構成すると共に、上記光共振器における発振光の発振波長が長くなると発振光に対する上記第二の反射鏡の反射率が増加するように上記第二の反射鏡を構成したことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (11)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073BA02
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073DA21
, 5F073DA32
, 5F073DA33
, 5F073EA03
, 5F073EA15
, 5F073GA01
