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J-GLOBAL ID：200903074189919939
化合物半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991232664
Publication number (International publication number)：1993074813
Application date： Sep. 12, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 化合物半導体装置に関し,性能を上げたショットキーバリア型電界効果トランジスタ(MESFET)の提供を目的とする。【構成】 化合物半導体基板1と,化合物半導体基板1上に形成されたバッファ層2a, 2bと, バッファ層2a, 2b上に形成さた動作層3a, 3b, 3cと, 動作層3a, 3b, 3c上に形成され,動作層3a, 3b, 3cとショットキー接合するゲート電極5と,動作層3a, 3b, 3c上に形成されかつゲート電極5の両側に配置されたソース電極6及びドレイン電極7とを有する化合物半導体装置であって,動作層3a, 3b, 3cはIII-V族化合物半導体層からなり,その組成はバッファ界面からショットキー接合界面に向かってバンドギャップエネルギーが大きくなるように変化し,かつその不純物ドーピング濃度はバッファ界面からショットキー接合界面に向かって小さくなるように変化している化合物半導体装置により構成する。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板(1) と,該化合物半導体基板(1) 上に形成されたバッファ層(2a, 2b)と,該バッファ層(2a, 2b)上に形成さた動作層(3a, 3b, 3c)と,該動作層(3a, 3b, 3c)上に形成され,該動作層(3a,3b, 3c)とショットキー接合するゲート電極(5) と,該動作層(3a, 3b, 3c)上に形成されかつ該ゲート電極(5)の両側に配置されたソース電極(6) 及びドレイン電極(7) とを有する化合物半導体装置であって,該動作層(3a, 3b, 3c)はIII-V族化合物半導体層からなり,その組成はバッファ界面からショットキー接合界面に向かってバンドギャップエネルギーが大きくなるように変化し,かつその不純物ドーピング濃度はバッファ界面からショットキー接合界面に向かって小さくなるように変化していることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
Cited by examiner (6)
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