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J-GLOBAL ID：200903074205257798

半導体材料の薄膜を製造する方法

Inventor： ボズラー,カール・オー ,  フアン,ジヨン・シー・シー ,  マクレランド,ロバート・ダブリユー
Applicant, Patent owner： マサチユセツツ・インスチチユート・オブ・テクノロジイ
Agent (1)： 小田島 平吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991325037
Publication number (International publication number)：1994020945
Application date： Apr. 06, 1981
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 該光学的透過支持体上の単結晶材料に集積回路を形成する。【構成】 支持体上に結晶マスクを形成し、該結晶マスク上に単結晶半導体材料を形成し、マスクを有する支持体から光学的透過支持体上に薄膜単結晶半導体材料を移送し、該光学的透過支持体上の単結晶材料に集積回路を形成して、半導体材料の薄膜を製造する。

Claim (excerpt)：

実質的に単結晶である半導体材料の薄膜を製造する方法において、支持体上に結晶マスクを形成すること、該結晶マスク上に単結晶半導体材料を形成すること、マスクを有する支持体から光学的透過支持体上に薄膜単結晶半導体材料を移送すること、該光学的透過支持体上の単結晶材料に集積回路を形成することを含むことを特徴とする半導体材料の薄膜を製造する方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  C30B 25/02 ,  H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特公昭49-042350
  
• 特開昭51-073379
  
• 特開昭51-018475
  
• 特公昭44-013100
  
• 特表昭57-500670