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J-GLOBAL ID：200903074214448687

金属膜形成方法、半導体装置及び配線基板

Inventor： 吉谷 昌明
Applicant, Patent owner： 新光電気工業株式会社
Agent (4)： 石田 敬 ,  土屋 繁 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002360686
Publication number (International publication number)：2004190102
Application date： Dec. 12, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】本発明は、半導体装置等の樹脂基材の表面に金属膜を形成するとき、樹脂基材と金属膜との密着性を紫外線照射によって簡単に向上することができる金属膜形成方法を提供する。【解決手段】キャタライジング処理工程S3とアクセレレイティング処理工程S4によって樹脂基材上にめっき核を生成し、めっき核を触媒として樹脂表面に無電解銅めっきを行った後に、電解銅めっき処理工程S6が行われる樹脂基材表面に金属膜形成する方法であり、紫外線照射が、樹脂基材表面が露出する部分と、無電解銅めっきによる銅金属膜とが混在するときに行われ、樹脂表面と銅金属膜との密着度を向上する。無電解銅めっき処理工程S51の次に紫外線照射処理工程S52が行われる。続いて、追加の無電解銅めっき処理工程S54が行われる。処理工程S51の銅金属膜厚が給電層になるときには、処理工程S54は省略されてもよい。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

めっき核生成工程、無電解めっき工程、電解めっき工程に従って順次処理し、樹脂基材の表面に金属膜を形成する方法であって、 前記無電解めっき工程において、生成された前記めっき核が該無電解めっきによる金属で覆われた後に、前記表面に紫外線が照射されることを特徴とする金属膜形成方法。

IPC (6)：

C23C18/20 ,  C23C18/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H05K3/24 ,  H05K3/38

FI (6)：

C23C18/20 A ,  C23C18/16 B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 E ,  H05K3/24 A ,  H05K3/38 B

F-Term (37)：

4K022AA13 ,  4K022AA14 ,  4K022AA15 ,  4K022AA18 ,  4K022AA20 ,  4K022AA41 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022CA12 ,  4K022CA18 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K022DB06 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104EE02 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104HH09 ,  4M104HH14 ,  5E343AA18 ,  5E343BB24 ,  5E343BB38 ,  5E343BB44 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE42 ,  5E343GG02