アクティブマトリクス基板および表示装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥田誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002320694
Publication number (International publication number)：2004158518
Application date： Nov. 05, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】半導体層に入射する光を効果的に遮光し、かつ、開口率の低下を抑制したアクティブマトリクス型表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス基板の半導体素子部は、基板1a上に形成された第1絶縁層3aと、第1絶縁層3a上に形成された半導体層4aと、半導体層4a上に絶縁膜5bを介して形成された第1電極層5aと、第1電極層5aおよび半導体層4aを覆う第2絶縁層6aと、第1絶縁層3aおよび第2絶縁層6a上に形成され、半導体層4aの少なくとも一部を覆う第1遮光層8aと、第1遮光層8a上に形成された第3絶縁層9aと、第3絶縁層9a上に形成された第2電極層11aとを有する。半導体層4aの周縁部には、第1絶縁層3aおよび第2絶縁層6aを含む絶縁性積層膜が形成されており、絶縁性積層膜は半導体層4aの周縁の近傍に溝7aを有し、溝7aの底部は第2絶縁層6aよりも下部に位置し、第1遮光層8aは半導体層4a上から溝7aの底部まで延設されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に複数の半導体素子が形成されたアクティブマトリクス基板であって、前記複数の半導体素子のそれぞれが形成された半導体素子部が、基板上に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に絶縁膜を介して形成された第1電極層と、前記第1電極層および前記半導体層を覆う第2絶縁層と、前記第1および前記第2絶縁層上に形成され、前記半導体層の少なくとも一部を覆う第1遮光層と、前記第1遮光層上に形成された第3絶縁層と、前記第3絶縁層上に形成された第2電極層とを有し、前記半導体層の周縁部には、前記第1および第2絶縁層を含む絶縁性積層膜が形成されており、前記絶縁性積層膜は前記半導体層の周縁の近傍に溝を有し、前記溝の底部は前記第2絶縁層よりも下部に位置し、前記第1遮光層は前記半導体層上から前記溝の底部まで延設されている、アクティブマトリクス基板。

IPC (5)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , G09F9/35 , H01L21/3205

FI (6)：

H01L29/78 619B , G02F1/1368 , G09F9/30 338 , G09F9/35 , H01L29/78 616S , H01L21/88 S

F-Term (121)：

2H092JA25 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JB51 , 2H092JB56 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KB04 , 2H092KB21 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092NA15 , 2H092NA16 , 2H092NA21 , 2H092NA29 , 5C094AA10 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094ED15 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH28 , 5F033HH29 , 5F033HH30 , 5F033HH31 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH36 , 5F033JJ01 , 5F033JJ04 , 5F033JJ07 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ25 , 5F033JJ28 , 5F033JJ29 , 5F033JJ30 , 5F033JJ31 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ36 , 5F033KK01 , 5F033MM05 , 5F033MM30 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR15 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX32 , 5F110AA06 , 5F110AA21 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL04 , 5F110HL05 , 5F110HM02 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN35 , 5F110NN44 , 5F110NN45 , 5F110NN46 , 5F110NN48 , 5F110NN54 , 5F110NN55 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-253105 Applicant：セイコーエプソン株式会社
液晶表示装置および液晶プロジェクタ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-063828 Applicant：日本電気株式会社
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-105078 Applicant：日本電気株式会社

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