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J-GLOBAL ID：200903074218257797

マイクロ波放電反応装置

Inventor： 佐藤 徳芳 ,  飯塚 哲 ,  中川 行人
Applicant, Patent owner： 佐藤 徳芳 ,  飯塚 哲 ,  日電アネルバ株式会社
Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993139134
Publication number (International publication number)：1994325899
Application date： May. 17, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 平板状電極と磁気回路を利用したマイクロ波放電反応装置において、磁気回路の構造を工夫してセパラトリクスを調整し、基板処理に最適な磁場を形成する。【構成】 内部を減圧状態に保持する機構とガスを導入する機構を備える真空容器1内にマイクロ波を導入してガスをプラズマ化するプラズマ発生機構2と、このプラズマ発生機構と所定の間隔をおいて対向して設置される基板保持機構3とを備え、さらにプラズマ発生機構は、マイクロ波を真空容器内に導入する同軸型マイクロ波伝送路11,12 と、マイクロ波を放射する所定の長さと幅のスリット9を少なくとも1本有する平板状電極5と、平板状電極の近傍に軸方向に磁化された複数の円筒状永久磁石8を、隣合うもの同士でその磁化方向が互いに逆になるように同心円的に配置してなる磁場発生手段6とから構成され、複数の円筒状永久磁石のそれぞれによる磁場強度を異ならせるようにした。磁場強度は永久磁石の軸方向の長さを異ならせることにより変化させられる。

Claim (excerpt)：

内部を減圧状態に保持する機構とガスを導入する機構を備える真空容器と、この真空容器内にマイクロ波を導入して前記ガスをプラズマ化するプラズマ発生機構と、このプラズマ発生機構と所定の間隔をおいて対向して設置される基板保持機構とを備えるマイクロ波放電反応装置において、前記プラズマ発生機構は、前記マイクロ波を前記真空容器内に導入する同軸型伝送路と、前記マイクロ波を放射する所定の長さと幅のスリットを少なくとも1本有する平板状電極と、前記平板状電極の近傍に軸方向に磁化された複数の円筒状永久磁石を、隣合うもの同士でその磁化方向が互いに逆になるように同心円的に配置してなる磁場発生手段とから構成され、前記複数の円筒状永久磁石のそれぞれによる磁場強度を異ならせることを特徴とするマイクロ波放電反応装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31