Pat
J-GLOBAL ID：200903074222866250

露光用マスクパターンの補正方法、プログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法

Inventor：
田中 聡

About 田中 聡

, 
井上 壮一

About 井上 壮一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001370365
Publication number (International publication number)：2003167323
Application date： Dec. 04, 2001
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：
【要約】【課題】 露光用マスクパターンの光近接効果の補正処理において、高精度な補正形状を高速に得ることが可能な露光用マスクパターンの補正方法等を提供する。【解決手段】 第一の補正精度でマスクパターンの補正形状を求める第一の補正手段と、前記第一の補正精度よりも厳密な第二の補正精度で前記マスクパターンの補正形状を求める第二の補正手段とを用意し、前記第一の補正手段により前記第一の補正精度の第一の補正形状を求めた後、該第一の補正形状を初期値として前記第二の補正手段により前記第二の補正精度の第二の補正形状を求め、この第二の補正形状を前記マスクパターンの最終形状とする。
Claim (excerpt)：
半導体露光装置を用いて半導体基板上にマスクパターンの投影像を転写する際に生ずる光近接効果を補正するために、転写形状予測モデルに基づく補正手段により前記マスクパターンの形状に補正を施す露光用マスクパターンの補正方法において、第一の補正精度で前記マスクパターンの補正形状を求める第一の補正手段と、前記第一の補正精度よりも厳密な第二の補正精度で前記マスクパターンの補正形状を求める第二の補正手段とを前記補正手段として用意し、前記第一の補正手段により前記第一の補正精度の第一の補正形状を求めた後、該第一の補正形状を初期値として前記第二の補正手段により前記第二の補正精度の第二の補正形状を求め、この第二の補正形状を前記マスクパターンの最終形状とすることを特徴とする露光用マスクパターンの補正方法。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (1)：
2H095BB01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM