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J-GLOBAL ID:200903074223124096
被研磨材の表面平坦化方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994069612
Publication number (International publication number):1995276225
Application date: Apr. 07, 1994
Publication date: Oct. 24, 1995
Summary:
【要約】【目的】 ウェハなどの加工面の鏡面研磨の平坦度を向上し、ハーフミクロン以下の線幅の加工を容易に行うことができる表面平坦化方法を提供する。【構成】 (a)被研磨材Wの加工面とポリシングクロス2とを押しあて、(b)前記被研磨材Wと前記ポリシングクロス2とを相対的に回転させ、かつ、前記ポリシングクロスを自転させるとともに前記相対的回転の半径方向成分を有する方向に平面移動させながら前記被研磨材と前記ポリシングクロスとを摺動し、(c)前記摺動する面に研磨剤を添加した加工液Cを供給することにより加工する。
Claim (excerpt):
(a)被研磨材の加工面とポリシングクロスとを押しあて、(b)前記被研磨材と前記ポリシングクロスとを相対的に回転させ、かつ、前記ポリシングクロスを自転させるとともに前記相対的回転の半径方向成分を有する方向に平面移動させながら前記被研磨材と前記ポリシングクロスとを摺動し、(c)前記摺動する面に研磨剤を添加した加工液を供給することにより加工する被研磨材の表面平坦化方法。
IPC (4):
B24B 37/04
, B24B 37/00
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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半導体基板の平坦化方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-037627
Applicant:松下電器産業株式会社
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半導体ウェハの研磨方法および研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-214323
Applicant:富士通株式会社
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