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J-GLOBAL ID：200903074224648714
半導体記憶装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992152555
Publication number (International publication number)：1993343617
Application date： Jun. 12, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高集積化されたDRAMにおいて、容量のばらつきの小さいキャパシタを備えた半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 メモリーセルのキャパシタ材料として結晶質誘電体を用いたダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー(DRAM)において、前記結晶質誘電体材料の結晶粒の平均粒径が0.1μm以下であることを特徴とする。【効果】 高集積化されたDRAMのキャパシタの容量をばらつきの小さい状態で作製することが可能になり、誤動作の少ないDRAMを提供することができる。
Claim (excerpt)：
メモリーセルのキャパシタ材料として結晶質誘電体を用いた半導体記憶装置において、前記結晶質誘電体の結晶粒の平均粒径が0.1μm以下であることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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