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J-GLOBAL ID：200903074232415206

薄膜形成方法

Inventor： 原田 康樹 ,  寺田 典裕
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994223587
Publication number (International publication number)：1996088186
Application date： Sep. 19, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、デバイス特性に悪影響を与えない温度で、高品質な薄膜を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、基板8上に気相成長法により非晶質シリコン薄膜を形成する薄膜形成方法であって、加熱した原料ガス以外のガスを成膜表面の全面または一部に導入し、非晶質シリコン薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に気相成長法により薄膜を形成する薄膜形成方法であって、加熱した原料ガス以外のガスを成膜表面の全面または一部に導入することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50