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J-GLOBAL ID：200903074243935295

コンタクトホール等の形成方法

Inventor：
池上 尚克

About 池上 尚克


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 萩原 康司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998097988
Publication number (International publication number)：1999354499
Application date： Apr. 09, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ボーイングやエッチストップなどを生ずることなくコンタクトホール等の開口部を形成できる方法を提供する。特に開口径が0.2μm以下や0.1μm以下などの微細なコンタクトホール等を形成するのに最適な方法を提供する。【解決手段】 基板1表面の絶縁膜2上に成膜されたポリシリコン膜3にホール開口部3aを形成し,ホール開口部3aの内側面にポリシリコン5を堆積してホール開口部3aの径を狭めた後,ポリシリコン膜3をマスクとしてドライエッチングを行い,絶縁膜2に対してコンタクトホール等の開口部2aを形成する方法において,エッチングガスにCHF3とCOとの混合ガスを用い,かつ絶縁膜2にnon-dopeの酸化シリコン膜を用いる。
Claim (excerpt)：
基板表面の絶縁膜上に成膜されたポリシリコン膜にホール開口部を形成し,該ホール開口部の内側面にポリシリコンを堆積してホール開口部の径を狭めた後,ポリシリコン膜をマスクとしてドライエッチングを行い,絶縁膜に対してコンタクトホール等の開口部を形成する方法において,エッチングガスにCHF3とCOとの混合ガスを用い,かつ前記絶縁膜にnon-dopeの酸化シリコン膜を用いることを特徴とする,コンタクトホール等の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/768
FI (2)：
H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 微細接続孔の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-231341   Applicant：ソニー株式会社
  • ドライエッチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092527   Applicant：松下電器産業株式会社
  • トレンチの形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-236217   Applicant：ソニー株式会社
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