イオン注入中に基板上の電荷蓄積を中和するエレクトロンフラッド装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999506653
Publication number (International publication number)：2002507320
Application date： Jul. 01, 1998
Publication date： Mar. 05, 2002
Summary：

【要約】イオン注入中に基板上の正電荷蓄積を中和するエレクトロンフラッド装置は、イオンビームを基板に通す管を備える。不活性ガスはプラズマチャンバに供給され、プラズマチャンバ内のカソードは加熱されて電子を放出する。加速電子供給部は、プラズマチャンバ内の加速電極とカソードとの問に接続され、カソードによって放出された電子を加速し、チャンバ内にプラズマを発生させる。別々のカソードバイアス電気サプライは、カソードと基板の共通端子との間に直接接続され、加速電位とは独立した、基板に関しカソード上に所望のバイアス電位を設定する。

Claim (excerpt)：

イオン注入装置による基板におけるイオン注入中に基板上の正電荷蓄積を中和するエレクトロンフラッド装置であって、上記基板は共通端子に接続され、上記エレクトロンフラッド装置は、イオンビームを軸に沿って受けて基板に通す管と、上記管の側壁の開口部と、前記管の前記開口部と連通した出口アパーチャーを有し、前記チャンバ内に加速電極を提供する、プラズマチャンバと、前記プラズマチャンバに対する不活性ガス供給部と、前記プラズマチャンバ内のカソードと、前記カソードを加熱して電子を放出する為に接続されたカソードパワー供給部と、前記カソード及び前記加速電極間に加速電位を供給し、前記カソードによって放出された加速電子を加速して前記チャンバ内にプラズマを発生させる、加速電子供給部と、前記カソード及び前記基板の共通端子間に直接接続し、前記加速電位と独立して前記基板に対し前記カソード上に所望のバイアス電位を設定する為のカソードバイアス電子供給部と、を備えるエレクトロンフラッド装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

イオン処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-019814 Applicant：日新電機株式会社
特開平3-093141
イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-301965 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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