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J-GLOBAL ID：200903074250290313

高利得半導体光増幅器

Inventor： 井本 克之
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998203121
Publication number (International publication number)：2000036641
Application date： Jul. 17, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高利得、低雑音の高利得半導体光増幅器を提供する。【解決手段】 半導体光導波路中に素子長L1 の前段光増幅部1と素子長L2 の可飽和吸収部2と素子長L3 の後段光増幅部3とを並べ、各素子長をL1 >L3>L2 の関係にし、前記各光増幅部1,3に順方向注入電流を流すと共に前記可飽和吸収部2に逆方向電圧を印加し、前記前段光増幅部1へゲイン領域にある波長の信号光4を入射し、前記後段光増幅部3から増幅された信号光5を出射させる。

Claim (excerpt)：

半導体光導波路中に素子長L1 の前段光増幅部と素子長L2の可飽和吸収部と素子長L3 の後段光増幅部とを並べ、各素子長をL1 >L3 >L2 の関係にし、前記各光増幅部に順方向注入電流を流すと共に前記可飽和吸収部に逆方向電圧を印加し、前記前段光増幅部へゲイン領域にある波長の信号光を入射し、前記後段光増幅部から増幅された信号光を出射させるようにしたことを特徴とする高利得半導体光増幅器。

IPC (2)：

H01S 5/30 ,  G02F 1/025

FI (2)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025

F-Term (17)：

2H079AA02 ,  2H079AA05 ,  2H079BA01 ,  2H079CA09 ,  2H079DA16 ,  2H079EA07 ,  2H079EA27 ,  2H079FA01 ,  2H079GA01 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AB21 ,  5F073BA03 ,  5F073CA12 ,  5F073EA15 ,  5F073EA27 ,  5F073GA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-150088
  
• 光非線形増幅素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-236426   Applicant：日本電信電話株式会社