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J-GLOBAL ID：200903074258603663

半導体製造装置

Inventor： 秋山 孝夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992119709
Publication number (International publication number)：1993291240
Application date： Apr. 13, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路に用いられるプラズマCVD膜を成膜する際に、発生し易いパーティクルを抑えることで、信頼性の高い半導体集積回路を得ると共に、半導体製造装置の安定稼動を実現する。【構成】 反応室101の底部102に径が1ミリメートル程の多数の穴103があけられ、デポジション中に穴103から窒素ガス又はアルゴンガスなどの不活性ガスを反応室101内に少量流し込む。これにより、デポジション中に発生し、反応室101の底部102に付着又は堆積してパーティクルの原因となるデポ物や汚れが、窒素又は不活性ガスが穴103から反応室101内へ吹き出しているため、反応室101の底部102に付着又は堆積せず、排気され、反応室内を清浄な状態に長期間に渡り保つことができる。

Claim (excerpt)：

ガス供給機構を有し、反応性ガスを反応室に導入して、対向する2枚の平行平板電極に高周波を印加することにより反応性ガスプラズマを生成し、半導体基板上にCVD膜を形成する半導体製造装置であって、ガス供給機構は、前記反応室の底部にあけられた多数の小穴から窒素又は不活性ガスを反応室内に供給するものであることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205