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J-GLOBAL ID：200903074266388224

プラズマ処理装置

Inventor： 内山 信三
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001278228
Publication number (International publication number)：2003086398
Application date： Sep. 13, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 マイクロ波電力を高めることなく、表面波プラズマを安定的に生成する。【解決手段】 プラズマ処理室1に処理用ガス導入手段5及びスロット付無終端環状導波管8を通じてプラズマ処理用ガス及び高周波を導入して当該プラズマ処理用ガスのプラズマを発生し、前記プラズマでプラズマ処理室1内に載置された被処理基体2を処理するプラズマ処理装置において、前記高周波がプラズマ処理室1の内壁と前記プラズマとの間に閉じこめられるようにプラズマ処理室1内を排気する排気口6の流量抵抗を高める。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理室にプラズマ処理用ガス及び高周波を導入して当該プラズマ処理用ガスのプラズマを発生し、前記プラズマでプラズマ処理室内に載置された被処理基体を処理するプラズマ処理装置において、前記高周波が前記プラズマ処理室の内壁と前記プラズマとの間に閉じこめられるように当該プラズマ処理室内を排気する排気口の流量抵抗を高めることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/3065

FI (4)：

H05H 1/46 B ,  B01J 19/08 E ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/302 B

F-Term (34)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075BC01 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA42 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EC30 ,  4G075FC15 ,  4K030EA11 ,  4K030FA02 ,  4K030JA20 ,  4K030KA12 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46 ,  5F004AA01 ,  5F004AA13 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB20 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB29 ,  5F004BC04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DB00